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光焱科技CIS/ALS/光傳感器晶圓測(cè)試儀

簡(jiǎn)要描述：SG-O 是一款 CIS /ALS / Light-Sensor 晶圓測(cè)試儀，它結(jié)合了高度均勻的光源和半自動(dòng)晶圓探測(cè)器。高度均勻光源可以提供從 400nm 到 1700nm 的連續(xù)白光光譜，以及在許多不同波長(zhǎng)下具有一定 FWHM 的單色光輸出。探測(cè)器可以處理。200mm 晶圓尺寸和尺寸大于 1cm x 1cm 的單芯片。SG-O 集成了超低噪音熱卡盤，可提供 -60°C 至 180°C 的溫度范圍

  • 產(chǎn)品型號(hào)：SG-O
  • 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間：2024-03-25
  • 訪  問  量： 2737

詳細(xì)介紹

品牌Enlitech

特色


高度均勻的光源

  • 從 UV 到 SWIR 的寬光譜范圍

  • 超過 50mm x 50mm 區(qū)域的高度均勻性超過 98%

  • 超穩(wěn)定光強(qiáng)度，可維持不穩(wěn)定性 < 0.2% 長(zhǎng)達(dá)10小時(shí)以上

  • 高光強(qiáng)動(dòng)態(tài)范圍，高達(dá) 140dB

可編程自動(dòng)探測(cè)器

  • 200mm ~ 10mm 晶圓或芯片處理能力

  • 用于準(zhǔn)確可靠的 DC / CV、RF 測(cè)量

  • 穩(wěn)定的功能顯微鏡系統(tǒng)

  • 整合硬件控制面板

  • 自動(dòng)晶圓裝載機(jī)

  • 智能晶圓映射

寬溫低噪音卡盤

  • 模塊化卡盤

  • -80°C 至 180°C 的寬溫度范圍

  • *進(jìn)的 CDA 熱控制技術(shù)，高斜坡率和高 T 穩(wěn)定性

  • 用于精確 CIS / ALS/ 光傳感器晶圓測(cè)試的超低噪聲

應(yīng)用

  • CIS / ALS / 光傳感器晶圓測(cè)試

  • CIS / ALS / 光傳感器晶圓映射和良率檢查

  • ToF 傳感器測(cè)試

  • 激光雷達(dá)傳感器測(cè)試

  • InGaAs PD 測(cè)試

  • SPAD 傳感器測(cè)試

  • 光傳感器模擬參數(shù)測(cè)試：

    1. 量子效率

    2. 光譜響應(yīng)

    3. 系統(tǒng)增益

    4. 靈敏度

    5. 動(dòng)態(tài)范圍

    6. 暗電流/噪聲

    7. 信噪比

    8. 飽和容量

    9. 線性誤差（LE）

    10. DCNU（暗電流非均勻性）

    11. PRNU（光響應(yīng)非均勻性）

系統(tǒng)設(shè)計(jì)

SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 測(cè)試儀（晶圓級(jí)）系統(tǒng)圖。高度均勻的光源由 PC-1 控制。光輸出由光纖引導(dǎo)到光學(xué)均化器以產(chǎn)生均勻的光束。顯微鏡和均質(zhì)器由 PC-1 的自動(dòng)平移臺(tái)控制，以切換位置和功能。Prober 系統(tǒng)為 MPI TS2000，由 PC-2 控制?？ūP臺(tái)的位置也由 PC-2 控制。熱卡盤溫度可控制在 -55 ℃ 至180 ℃ ，涵蓋了大部分 IC 測(cè)試溫度范圍。光強(qiáng)度由一個(gè) Si 光電探測(cè)器和一個(gè) InGaAs 光電探測(cè)器通過皮安電流表檢測(cè)和校準(zhǔn)。

規(guī)格

SG-O 為您在 CIS / ALS / 光傳感器晶圓測(cè)試中需要的所有內(nèi)容提供完整的規(guī)范。以下是主要組件及其詳細(xì)信息。如果您需要更多詳細(xì)信息，請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系！

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高度均勻的光源

  • 光譜范圍：400nm 至 1700nm

  • 色溫：3000K 至 5200K

  • 均勻照明面積：42mm x 25mm，工作距離 >200mm

  • 照度均勻度：優(yōu)于98%

  • 短期光不穩(wěn)定性：≤ 1% 超過 1 小時(shí)

  • 長(zhǎng)期光不穩(wěn)定性：≤ 1% 超過 10 小時(shí)

  • DUT與最后一個(gè)光學(xué)組件之間的工作距離：≥200mm工作距離

  • 單色光生成：

  1. 10nm FWHM 中心波長(zhǎng)：420nm, 450nm, 490nm, 510nm, 550nm, 570nm, 620nm, 670nm, 680nm, 710nm, 780nm, 870nm

  2. 25nm FWHM 中心波長(zhǎng)：1010nm, 1250nm, 1450nm

  3. 45±5nm FWHM 中心波長(zhǎng)： 815nm

  4. 50nm FWHM 的中心波長(zhǎng)：1600nm

  5. 60±5nm FWHM 中心波長(zhǎng)：650nm

  6. 70±5nm FWHM 的中心波長(zhǎng)：485nm, 555nm

  7. 100±5nm FWHM 的中心波長(zhǎng)：1600nm

    • 帶外透光率 ≤ 0.01%

    • 帶通區(qū)峰值傳輸 ≥ 80%

    • 中心波長(zhǎng)容差：(a) ≤ ±2nm；(b)~(g) ≤ ±5nm

    • FWHM 容差：(a) ≤ ±2nm；(b)~(g) ≤ ±5nm

  • 可變衰減器：PC 控制的 3-decade 分辨率，至少 1000步

半自動(dòng)晶圓探針

  • 晶圓尺寸能力：200mm、150mm、100mm 晶圓和尺寸大于 1cm x 1cm 的單芯片

  • 晶圓處理：?jiǎn)尉A，手動(dòng)進(jìn)料型

  • 半自動(dòng)化：一步手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)教和自動(dòng)模步進(jìn)

  • XYZ 平臺(tái)

  • 卡盤 XY 載物臺(tái)行程：210mm x 300mm

  • 卡盤 XY 平臺(tái)分辨率：優(yōu)于 0.5um

  • 夾頭 XY 平臺(tái)精度：優(yōu)于 2.0um

  • 卡盤 XY 平臺(tái)速度：最慢：10 微米/秒，最快：50 毫米/秒

  • Chuck Z 載物臺(tái)行程：50mm

  • Chuck Z 平臺(tái)分辨率：0.2um

  • 卡盤 Z 平臺(tái)精度：±2.0um

  • Theta 平臺(tái)

  • Theta 載物臺(tái)行程：± 5 度運(yùn)動(dòng)范圍

  • Theta 分辨率：優(yōu)于 0.01 度

  • Theta 精度：0.1 度

  • 卡盤

  • 卡盤平整度 ≤ 10um

  • 卡盤熱操作：-60°C 至 200°C

  • 25°C 時(shí)的卡盤泄漏： 25°C 時(shí)在 10V 偏壓下每個(gè)電壓 ≤ 20fA

  • 卡盤剩余電容 ≤ 95fF

  • 探針卡

  • 探針卡尺寸：4.5 英寸至 8 英寸長(zhǎng)

  • 探針卡座與壓板之間的間隙：≥ 7.5mm

  • 微型腔室

  • EMI 屏蔽：在 1kHz 至 1MHz 范圍內(nèi) ≥ 30dB

  • 系統(tǒng)交流噪聲：≤ 5mVp -p

  • 微型定位器

  • 顯微鏡

  • 隔振臺(tái)

光譜輻照度計(jì)

  • 光譜范圍：400nm 至 1600nm

  • 波長(zhǎng)分辨率：400nm 到 1000nm 增加步長(zhǎng) < 1nm；1000nm 到 1600nm 增加步長(zhǎng) < 3.5nm

  • 校準(zhǔn)：NIST 可追溯校準(zhǔn)證書

更多規(guī)格

　　SG-O 集成了 Enlitech 的高級(jí)光模擬器技術(shù)和 MPI 自動(dòng)探針系統(tǒng)。Enlitech 提供多種光學(xué)選項(xiàng)以滿足用戶對(duì) CIS / ALS / 光傳感器晶圓測(cè)試的要求，包括波長(zhǎng)范圍、光強(qiáng)度和均勻光束尺寸。我們擁有數(shù)十年的經(jīng)驗(yàn)，可以幫助客戶解決 CIS / ALS / 光傳感器晶圓測(cè)試和設(shè)計(jì)變化的挑戰(zhàn)。請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系以獲取更多詳細(xì)信息。我們的專業(yè)團(tuán)隊(duì)將為您提供幫助！


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主要表現(xiàn)

SG-O 系統(tǒng)的操作軟件。對(duì)于高度均勻光源控制軟件，SG-O 提供光源系統(tǒng)控制和光強(qiáng)測(cè)量。提供了各個(gè)光學(xué)組件的 Labview 功能調(diào)色板、驅(qū)動(dòng)程序 / DLL 文件。該軟件控制所述平移臺(tái)以促進(jìn)照射大是在零件的設(shè)備。集成鏈接的整合包括發(fā)送 / 接收命令，例如芯片步進(jìn)、芯片對(duì)齊 / 探測(cè)等。

來自 SG-O 顯微鏡系統(tǒng)的  CIS / ALS / 光傳感器芯片圖像

SG-O-CIS-wafer-level-tester-23_-wafer-and-probe-card-install.jpg
SG-O-CIS-wafer-level-tester-23_-wafer-and-probe-card.jpg


CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓的探針卡安裝圖

用于 CIS / ALS / 光傳感器晶圓檢測(cè)的探針頭圖像


SG-O CIS 晶圓級(jí)測(cè)試儀的光均化器

SG-O CIS 晶圓級(jí)測(cè)試儀光均化器的光學(xué)模擬和性能

光束均勻度，在 420nm 下用 42mm x 25mm 測(cè)試光束點(diǎn)均勻性，不均勻度為 1% 圖示

光束均勻度，束斑尺寸為 50mm x 50mm，不均勻性為 1.43% 圖示

不同波長(zhǎng)的單色光強(qiáng)度，從紫外到近紅外；光強(qiáng)度由Si輻照度計(jì)測(cè)量，光強(qiáng)度范圍能夠用于各種 CIS / ALS / 光傳感器測(cè)試圖示

從 NIR 到 SWIR 不同波長(zhǎng)的單色光強(qiáng)度，光強(qiáng)度由 InGaAs 輻照度計(jì)測(cè)量圖示

SG-O 的高度均勻光源具有一個(gè)超穩(wěn)定的光引擎，在整個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)，短期或長(zhǎng)期的光強(qiáng)不穩(wěn)定性均優(yōu)于 0.2%。

圖示在 420nm 單色光輸出下測(cè)試光強(qiáng)度短期不穩(wěn)定性，光不穩(wěn)定性由 Si 輻照度計(jì)監(jiān)測(cè) 60 分鐘，1 小時(shí)的不穩(wěn)定性為 0.12%

圖示在 1250nm 單色光輸出下測(cè)試光強(qiáng)短期不穩(wěn)定性, 光不穩(wěn)定性由 SInGaAs 輻照度計(jì)監(jiān)測(cè) 60 分鐘，1 小時(shí)的不穩(wěn)定性為 0.09%

在 420nm 單色光輸出下測(cè)試光強(qiáng)度短期不穩(wěn)定性，光不穩(wěn)定性由 Si 輻照度計(jì)監(jiān)測(cè) 10 小時(shí)，10 小時(shí)的不穩(wěn)定性為 0.1% 圖示

在 1250nm 單色光輸出下測(cè)試光強(qiáng)短期不穩(wěn)定性，光不穩(wěn)定性由 SInGaAs 輻照度計(jì)監(jiān)測(cè) 10 小時(shí)，10 小時(shí)不穩(wěn)定性為 0.06% 圖示


圖示為 SG-O 系統(tǒng)的光強(qiáng)衰減器，光輸出強(qiáng)度可以通過 PC 至少 1000 步分辨率來控制

自動(dòng)探測(cè)器的情況說明書，SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓測(cè)試儀集成了 MPI 探針，更多細(xì)節(jié)可以在 MPI 的網(wǎng)站上找到

數(shù)據(jù)源： MPI


SG-O 探針系統(tǒng)中內(nèi)置了自動(dòng)單芯片裝載機(jī)。便于CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓裝載。裝載和卸除晶圓對(duì)用戶來說是直接和直觀的。上料室前部還集成了溫度控制面板，方便操作。

SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓測(cè)試儀還具有手動(dòng)加載功能，可以從前門手動(dòng)加載晶圓。該前門具有安全管理功能，可自動(dòng)監(jiān)測(cè)卡盤溫度并防止在測(cè)試過程中打開門，以保護(hù) CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓和用戶的安全。

SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓測(cè)試儀的熱卡盤由 ERS 最小化的 CDA 系統(tǒng)控制溫度，比以前效率更高。溫度范圍可覆蓋 -80°C 至 180°C（取決于 ERA’a型號(hào)）。通過使用單獨(dú)的閥門可以進(jìn)行氮?dú)獯祾摺?duì)于 CIS / ALS / 光傳感器晶圓測(cè)試，目標(biāo)溫度上升速率和穩(wěn)定性非常出色，可在任何







條件下（例如空間）進(jìn)行。


探針卡尺寸能力可以從 4.5 英寸到 8 英寸長(zhǎng)，如圖所示 DUT 與 SG-O 高均勻光源最后一個(gè)光學(xué)組件的工作距離超過 200mm

探針卡尺寸能力可以從 4.5 英寸到 8 英寸長(zhǎng)，如圖所示 DUT 與 SG-O 高均勻光源最后一個(gè)光學(xué)組件的工作距離超過 200mm




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